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型号 IRF6662TR1PBF
厂商 International Rectifier
描述 MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
IRF6662TR1PBF PDF
代理商 IRF6662TR1PBF
产品目录绘图 IR Hexfet Circuit
标准包装 1,000
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 8.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 22 毫欧 @ 8.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4.9V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1360pF @ 25V
功率 - 最大 2.8W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 DirectFET? 等容 MZ
供应商设备封装 DIRECTFET? MZ
包装 带卷 (TR)
其它名称 IRF6662TR1PBFTR
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